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MOSFET场效应管在移动电源上应用

     目前在移动电源市场火爆的情况下,普通的移动电源已经不能满足广大消费者的需求,消费者希望有更大电容量的移动来满足不同便携式数码产品的供电要求,这便对移动电源方案除了主芯片以外,周围元器件的参数规格要求也更高,做为以MOS管为主营产品的我们,也在不断地升级、更新自己的产品,使自己的产品能适合新的方案。

(1)此前移动电源上应用比较广泛的充放电开关IC(N+N):

S8205A(TSSOP-8):RDSON=0.025R&Vgs=4.5V,ID=5A;

升级的新产品为:

8810(TSSOP-8):RDSON=0.022R&Vgs=4.5V,ID=6.0A,通导电阻更低,ID电流更大,可以在更大容量的移动电源上安全使用。

(2)目前在大容量移动的电源方面应用越来越多的MOS   IC产品:

4616(SOP-8,N+P):N管:RDSON=0.028mR&VGS=10V,ID=6.9A;

                                           P管:RDSON=0.032mR&VGS=-10V,ID=6.9A,N管和P管各项电参数匹配性更好,类似产品可对比4606(SOP-8,N+P)。

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